Сучасна електрометалургія, 2009, №03



2009 №03 (07)

2009 №03 (09)

---

«Современная электрометаллургия», 2009, № 3, с. 36-39
 
МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ ИНДУКТОРА НА КОЭФФИЦИЕНТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСИ В КРЕМНИИ
 
Авторы
С. Г. Егоров, И. Ф. Червоный, Р. Н. Воляр
Гос. инж. акад., Запорожье
 
Реферат
Исследован процесс выращивания монокристаллов кремния способом индукционной бестигельной зонной плавки с применением подогревающего индуктора. При помощи математического моделирования установлены параметры электромагнитного поля подогревающего индуктора и определены условия, при которых электромагнитное поле подогревающего индуктора оказывает влияние на условия выращивания монокристаллов.
 
Process of growing single crystals of silicon by the method of induction crucible-free zonal melting with use of preheating inductor was investigated. Using the mathematical modeling, the parameters of electromagnetic field of phreheating inductor were established and conditions, at which the electromagnetic field of preheating inductor has an influence on the conditions of single crystal growing, were defined.
 
Ключевые слова: бестигельная зонная плавка, подогревающий индуктор, электромагнитное поле, эффективный коэффициент распределения примеси
 
Поступила 07.10.2008
Опубликовано 07.08.2009
 
1. Бронникова Л. П., Добровольская В. И., Ратников Д. Г.Определение температурных градиентов в слитках кремния при бестигельной зонной плавке // Промышленное применение токов высокой частоты: Тр. ВНИИ ТВЧ. – 1974. – Вып. 14. – С. 65—74.
2. Добровольская В. И., Ратников Д. Г. Исследование индукционных систем вертикальной бестигельной зонной плавки // Там же. – 1974. – Вып. 14. – С. 78—85.
3. Егоров С. Г., Червоный И. Ф., Колобов Г. А. Анализ влияния магнитного поля подогревающего индуктора на расплавленную зону при БЗП // Оборудование и технологии термической обработки металлов и сплавов: Сб. докл. 4-й междунар. науч.-техн. конф. (Харьков, 19—23 мая 2003 г.) – Харьков, 2003. – С. 320—323.
4. Глуханов Н. П. Физические основы високочастотного нагрева. – Л.: Машиностроение, 1979. – 64 с.
5. Высокочастотная электротермия: Справочник / Под ред. А. В. Донского. – М.: Машиностроение, 1965. – 564 с.
6. Numerical study of transient behavior of molten zone during industrial FZ process for large silicon crystal growth // J. Cryst. Growth. – 2004. – V. 266. – P. 54—59.
7. Interface shape, heat transfer and fluid flow in the floating zone growth of large silicon crystals with the needle-eye technique // Ibid. – 1995. – V. 151. – P. 66—79.
8. Выращивание полупроводниковых монокристаллов с электромагнитным воздействием на расплав / Ю. М. Гельфгат, В. С. Земсков, М. Р. Раухман, М. З. Соркин // Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. – Новосибирск: Наука, 1988. – 300 с.
9. Muehlbauer A., Muznieks A., Raming G. System of mathematical models for the analysis of industrial FZ-Si-crystal growth processes // Cryst. Res. Technol. – 1999. – V. 34. – P. 217—226.
10. Мюллер Г. Выращивание кристаллов из расплава. Конвекция и неоднородности / Пер. с англ. – М.: Мир, 1991. – 143 с.