| 2006 №03 (06) | 2006 №03 (08) |
Журнал «Современная электрометаллургия», № 3, 2006 г., с. 27-29
Плавление кремния при вертикальной индукционной бестигельной зонной плавке
И.Ф. Червоный, Е.Я. Швец, С.Г. Егоров
Запорож. гос. инж. акад.Реферат
Рассмотрены условия плавления исходного кристалла кремния при вертикальной индукционной бестигельной зонной плавке. Установлено, что для обеспечения стекания расплава необходимо значительно увеличить радиус площади контакта капли при минимальной толщине слоя расплава на поверхности плавления. Определены оптимальные режимы плавления для эффективного стекания расплава, образовавшегося на части поверхности исходного кристалла, в общую зону.
Conditions of melting initial crystal of silicon in vertical induction crucible-free zonal melting are considered. It was established that to provide the molten metal flowing out, it is necessary to increase significantly the radius of drop contact area at minimum thickness of melt layer at the surface of melting. Optimum conditions of melting are defined for effective flowing out of molten metal, formed at the part of surface of initial crystal, into the common zone.
Ключевые слова: бестигельная зонная плавка; капля; расплав; поверхность плавления; ячейка расплава; центробежная сила; угол наклона поверхности плавления
Список литературы
1. Смирнов В. А., Старшинова И. В., Фрязинов И. В. Математическое моделирование процессов выращивания монокристаллов по Чохральскому. Математическое моделирование. Получение монокристаллов и полупроводниковых структур. — М.: Наука. 1986. — С. 40-59.2. О взаимосвязи гидродинамической устойчивости расплава и радиальной примесной неоднородности в кристаллах Д. А. Зейналов. И. В. Старшинова, Л. Н. Тптюнпк, М. А. Филипов .. .. Там же. — М.: Наука. 1986. — С. 59-66. “
3. Шашков Ю. М. Металлургия полупроводников. — М.: Гос. науч.-техн, пзд-во лит. по черн. п цв. металлург., 1960. - 212 с. '
4. Полупроводниковый кремний: теория и практика производства Ю. Н. Таран, В. 3. Куцова, И. Ф. Червоный п др. — Запорожье: ЗГИА, 2004. — 344 с.
5. Keller ИА, Muhlbauer A. Floating-Zone Silicon. — New Jork; Basel: Marcel Dekker Inc., 1981. — 298 p.
6. Плавление кремния при вертикальной индукционной БЗП / И. Ф. Червоный. Т. Н. Нестеренко. Н. Г. Сидоренко. О. П. Головко // Оборудование п технологии термической обработки металлов п сплавов: Сб. докл. 6-й междунар, конф. (Харьков, 16-21 мая 2005 г). — Харьков, 2005. - С. 136-139.
This article is licensed under a Creative Commons Attribution Non-Commercial 4.0 International (CC-BY-NC).